氦質(zhì)譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏
氦質(zhì)譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏
激光芯片是光通信設(shè)備的重要組成部分, 具有高回波損耗, 低插入損耗; 高可靠性, 穩(wěn)定性, 機(jī)械耐磨性和抗腐蝕性, 易于操作等特點(diǎn). 激光芯片在 Box 內(nèi)封裝, 對(duì)密封性的要求*, 上海伯東客戶某生產(chǎn)激光芯片客戶采購干式氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340 D 進(jìn)行封裝激光芯片的泄漏檢測(cè).
封裝激光芯片需要檢漏: 激光芯片在 Box 內(nèi)進(jìn)行封裝, 封裝完成后的激光芯片漏率要求小于 5×10-8mbar.l/s, 如果密封性不夠會(huì)影響其使用性能和精度, 因此需要進(jìn)行泄漏檢測(cè).
封裝激光芯片檢漏方法
激光芯片在 Box 內(nèi)封裝后, 需要對(duì)其本身的密封性進(jìn)行泄漏測(cè)試. 由于封裝激光芯片器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 上海伯東推薦使用氦質(zhì)譜檢漏儀“背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 將被檢封裝激光芯片放入真空保壓罐, 壓力和時(shí)間根據(jù)漏率大小設(shè)定
2. 取出封裝激光芯片, 使用空氣或氮?dú)獯祾弑砻婧?br />3. 將封裝激光芯片放入真空測(cè)試罐, 測(cè)試罐連接氦質(zhì)譜檢漏儀進(jìn)氣口
4. 啟動(dòng)氦質(zhì)譜檢漏儀, 真空模式下, 漏率值設(shè)定為 5×10-8mbar.l/s 進(jìn)行檢漏.
鑒于客戶信息保密, 若您需要進(jìn)一步的了解封裝激光芯片檢漏, 請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士,分機(jī)109
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